东芝推出新款数字隔离器,助力工业应用实现稳定的高速隔离数据传输
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出新款高速四通道数字隔离器“DCL54xx01”系列,该系列具有100kV/μs(最小值)的高共模瞬态抑制(CMTI)和150Mbps的高速数据速率。该系列六款产品于今日开始支持批量出货。
想要确保工厂自动化设备的安全性和可靠性,需要隔离器件来确保绝缘并防止噪声传播。东芝提供了数字隔离器解决方案,以满足工业应用在更高速度、多通道信号通信以及高CMTI方面的要求。
(资料图)
新产品采用东芝专有的磁耦合式绝缘传输方法,可提供100kV/μs(最小值)的高CMTI[1]。这不仅实现了隔离信号通信中输入/输出间电气噪声的高容限,而且也有助于稳定的控制信号传输和设备运行。该数字隔离器具有0.8ns(典型值)的低脉宽失真[2]和150Mbps(最大值)的高速数据速率,适用于多通道高速通信应用,如用于SPI通信的I/O接口。
50年来,东芝一直为其客户提供光耦——一种通过光耦合来确保绝缘性能的隔离器件。展望未来,除了光耦之外,东芝还将扩大自身的高速四通道数字隔离器产品线,增加通道和封装的数量,并提供高质量的绝缘器件,从而为工业设备控制所需的可靠、实时数据传输提供支持。
Ø应用
- 工业自动化系统(I/O接口、可编程逻辑控制器等)
- 电机控制
- 变频器
Ø特性
- 高共模瞬态抑制:CMTI=100kV/μs(最小值)
- 高速数据速率:tbps=150Mbps(最大值)
- 低脉宽失真:PWD=0.8ns(典型值)(VDD1=VDD2=5V)
- 四通道:正向四通道和反向零通道
正向三通道和反向一通道
Ø主要规格
器件型号 | DCL540C01 | DCL540D01 | href="https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/isolators-solid-state-relays/detail.DCL540L01.html" DCL540L01 | DCL540H01 | href="https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/isolators-solid-state-relays/detail.DCL541A01.html" DCL541A01 | DCL541B01 | |||||||
通道数 (正向:反向) | 4 (4:0) | 4 (4:0) | 4 (4:0) | 4 (4:0) | 4 (3:1) | 4 (3:1) | |||||||
默认输出逻辑 | 低 | 高 | 低 | 高 | 低 | 高 | |||||||
启用控制 | 无 | 无 | 输出 启用 | 输出 启用 | 输入 禁用 | 输入 禁用 | |||||||
封装 | SOIC16-W | ||||||||||||
绝对最大额定值 | 工作温度Topr(℃) | -40至110 | |||||||||||
存储温度Tstg(℃) | -65至150 | ||||||||||||
最大承受隔离电压(1分钟) BVS最小值(Vrms) | Ta=25℃ | 5000 | |||||||||||
建议工作条件 | 供电电压 VDD1、VDD2(V) | 2.25至5.5 | |||||||||||
电气特性 | 共模 瞬态抑制 CMTI最小值(kV/μs) | 100 | |||||||||||
数据速率 tbps最大值(Mbps) | 150 | ||||||||||||
脉宽失真 PWD典型值(ns) | VDD1=VDD2 =5V, Ta=25℃ | 0.8 | |||||||||||
传输延迟时间 tPHL、tPLH典型值(ns) | 10.9 | ||||||||||||
库存查询与购买 | 在线购买 | 在线购买 | 在线购买 | 在线购买 | 在线购买 | 在线购买 |
器件型号 | DCL541L/H01[3] | DCL542L/H01[3] | DCL520C/D00[3] | DCL521C/D00[3] | ||
通道数 (正向:反向) | 4 (3:1) | 4 (2:2) | 2 (2:0) | 2 (1:1) | ||
默认输出逻辑 | 低/高 | 低/高 | 低/高 | 低/高 | ||
启用控制 | 输出 启用 | 输出 启用 | 无 | 无 | ||
封装 | SOIC16-W | SOIC8 | ||||
绝对最大额定值 | 工作温度Topr(℃) | -40至110 | -40至125 | |||
存储温度Tstg(℃) | -65至150 | -65至150 | ||||
最大承受隔离电压(1分钟) BVS最小值(Vrms) | Ta=25℃ | 5000 | 3000 | |||
建议工作条件 | 供电电压 VDD1、VDD2(V) | 2.25至5.5 | 2.25至5.5 | |||
电气特性 | 共模 瞬态抑制 CMTI最小值(kV/μs) | 100 | 100 | |||
数据速率 tbps最大值(Mbps) | 150 | 150 | ||||
脉宽失真 PWD典型值(ns) | VDD1=VDD2 =5V, Ta=25℃ | 0.8 | 0.8 | |||
传输延迟时间 tPHL、tPLH典型值(ns) | 10.9 | 10.9 |
注:
[1] 测试条件:VI=VDD或0V,VCM=1500V,Ta=25℃
[2] 测试条件:VDD1=VDD2=5V,Ta=25℃
[3] 开发中(截至2023年5月)
标签:
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