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东芝推出新款数字隔离器,助力工业应用实现稳定的高速隔离数据传输

来源:EETOP 2023-05-10 07:59:08

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出新款高速四通道数字隔离器“DCL54xx01”系列,该系列具有100kV/μs(最小值)的高共模瞬态抑制(CMTI)和150Mbps的高速数据速率。该系列六款产品于今日开始支持批量出货。

想要确保工厂自动化设备的安全性和可靠性,需要隔离器件来确保绝缘并防止噪声传播。东芝提供了数字隔离器解决方案,以满足工业应用在更高速度、多通道信号通信以及高CMTI方面的要求。


(资料图)

新产品采用东芝专有的磁耦合式绝缘传输方法,可提供100kV/μs(最小值)的高CMTI[1]。这不仅实现了隔离信号通信中输入/输出间电气噪声的高容限,而且也有助于稳定的控制信号传输和设备运行。该数字隔离器具有0.8ns(典型值)的低脉宽失真[2]和150Mbps(最大值)的高速数据速率,适用于多通道高速通信应用,如用于SPI通信的I/O接口。

50年来,东芝一直为其客户提供光耦——一种通过光耦合来确保绝缘性能的隔离器件。展望未来,除了光耦之外,东芝还将扩大自身的高速四通道数字隔离器产品线,增加通道和封装的数量,并提供高质量的绝缘器件,从而为工业设备控制所需的可靠、实时数据传输提供支持。

Ø应用

- 工业自动化系统(I/O接口、可编程逻辑控制器等)

- 电机控制

- 变频器

Ø特性

- 高共模瞬态抑制:CMTI=100kV/μs(最小值)

- 高速数据速率:tbps=150Mbps(最大值)

- 低脉宽失真:PWD=0.8ns(典型值)(VDD1=VDD2=5V)

- 四通道:正向四通道和反向零通道

正向三通道和反向一通道

Ø主要规格

器件型号

DCL540C01

DCL540D01

href="https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/isolators-solid-state-relays/detail.DCL540L01.html" DCL540L01

DCL540H01

href="https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/isolators-solid-state-relays/detail.DCL541A01.html" DCL541A01

DCL541B01

通道数

(正向:反向)

4

(4:0)

4

(4:0)

4

(4:0)

4

(4:0)

4

(3:1)

4

(3:1)

默认输出逻辑

启用控制

输出

启用

输出

启用

输入

禁用

输入

禁用

封装

SOIC16-W

绝对最大额定值

工作温度Topr

-40至110

存储温度Tstg

-65至150

最大承受隔离电压(1分钟)

BVS最小值(Vrms

Ta25

5000

建议工作条件

供电电压

VDD1VDD2V

2.25至5.5

电气特性

共模

瞬态抑制

CMTI最小值(kV/μs

100

数据速率

tbps最大值(Mbps

150

脉宽失真

PWD典型值(ns

VDD1VDD2

5V

Ta25

0.8

延迟时间

tPHLtPLH典型值(ns

10.9

库存查询与购买

在线购买

在线购买

在线购买

在线购买

在线购买

在线购买

器件型号

DCL541L/H01[3]

DCL542L/H01[3]

DCL520C/D00[3]

DCL521C/D00[3]

通道数

(正向:反向)

4

(3:1)

4

(2:2)

2

(2:0)

2

(1:1)

默认输出逻辑

低/高

低/高

低/高

低/高

启用控制

输出

启用

输出

启用

封装

SOIC16-W

SOIC8

绝对最大额定值

工作温度Topr

-40至110

-40至125

存储温度Tstg

-65至150

-65至150

最大承受隔离电压(1分钟)

BVS最小值(Vrms

Ta25

5000

3000

建议工作条件

供电电压

VDD1VDD2V

2.25至5.5

2.25至5.5

电气特性

共模

瞬态抑制

CMTI最小值(kV/μs

100

100

数据速率

tbps最大值(Mbps

150

150

脉宽失真

PWD典型值(ns

VDD1VDD2

5V

Ta25

0.8

0.8

延迟时间

tPHLtPLH典型值(ns

10.9

10.9

注:

[1] 测试条件:VI=VDD或0V,VCM=1500V,Ta=25℃

[2] 测试条件:VDD1=VDD2=5V,Ta=25℃

[3] 开发中(截至2023年5月)

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