大联大世平集团推出基于onsemi产品的电动汽车（EV）充电桩方案

2023年8月1日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NTBG022N120M3S和NCD57084产品的电动汽车（EV）充电桩方案。

图示2-大联大世平基于onsemi产品的电动汽车（EV）充电桩方案的场景应用图

【资料图】

NTBG022N120M3S是onsemi旗下1200V SiC MOSFET，其针对快速开关应用进行优化，Rds_on（Max）为30mohm@18V（Vgs），栅极电荷Qg(tot)为151nC、容抗Coss为146 pF，该器件适合应用在高电压、大电流及高速切换的操作条件，Vgs（闸源极）最大电压范围为-10V-至+22V，凭借这些特性，使得该产品能够在开关操作中具有低功耗、高效率和高温稳定性。

NCD57084是一款高电流单通道IGBT栅极驱动器，具有2.5kVrms内部电流隔离，专为高功率应用而设计，具有高系统效率和可靠性。该驱动器采用SOIC-8封装，具有软关断和故障报告检测功能。此外，该产品还具有低输出阻抗，可用于增强型IGBT驱动，提供3.3V至20V宽输入偏置电压范围和信号电平，以及高达30V的宽输出偏置电压范围，支持+7A/-7A高峰值输出电流。不仅如此，该器件传播延迟时间短，可以做到精准匹配，并且UVLO阈值小，能够实现偏置灵活性。

除此之外，方案中还配备高效率辅助电源及DC-DC转换器，可进一步提升EV充电桩的充电效率及可靠性。

在汽车电动化的热潮下，EV充电桩也将迎来黄金发展时期，对此大联大世平将结合自身丰富的技术经验与onsemi共同加深方案整合能力，为电动汽车发展赋能。

核心技术优势：

ŸNTBG022N120M3S（1200V，SiC MOSFET）onsemi第三代半导体碳化硅MOSFET：

Ø1200V SiC MOSFET；

ØRds_on（Max）=30mohm@18V（Vgs）；

ØGate Charge Qg（tot）=151nC；

Ø容抗Coss=146pF，适合应用在高电压，大电流及高速切换等操作条件；

ØVgs（闸源极）最大电压范围为-10V至+22V；

Ø建议Vgssop操作电压-3V至+18V。

ŸNCD57084onsemi IGBT隔离驱动IC：

Ø具有可程式设计延迟的DESAT保护；

Ø负电压（低至-9V）能力，适用于DESAT；

Ø短路期间的IGBT栅极箝位；

ØIGBT栅极有源下拉；

ØIGBT短路期间软关断；

Ø严格的UVLO准位，实现偏差Bias灵活性；

ØUVLO/DESAT期间的输出部分脉冲回避（重新启动）；

Ø3.3V、5V和15V逻辑电压准位输入；

Ø2.5kVrms电压；

Ø高瞬态抗扰度；

Ø高电磁抗扰度。

Ÿ高效率辅助电源及DC-DC转换器：

Ø在此开发板中，一次侧驱动电路是由外部电源提供，规格为12V/1A，二次侧由NCV3064 IC组成高效率辅助电源，提供+12V至+18V，-3.5VDC电压供驱动电路使用。