动态：X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案

全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂，由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增长的需求。其将SOI和DTI极具吸引力的特性结合在一起，因此与传统Bulk BCD工艺相比，高密度数字逻辑和模拟功能可以更容易地集成至单个芯片。

X-FAB采用首个110纳米BCD-on-SOI技术实现下一代汽车应用

通过转移到较低的工艺节点，X-FAB XT011产品的标准单元库密度达到其成熟的XT018 180纳米BCD-on-SOI半导体平台的两倍；对于SONOS嵌入式闪存的实现，相较于XT018，其面积也减少了35%；此外，超低导通电阻（R_(ds)on）高压N沟道器件的性能是另一个重要特性（相比XT018工艺有超过25%的改进）。显著增强的热性能意味着可以更好地解决大电流应用的难题——这点通常与对Bulk BCD工艺的期望相匹配。

(资料图片)

此种全新BCD-on-SOI技术能够实现符合AEC-Q100 Grade 0等级的设计需求，具有高度稳健性。其工作温度范围为-40℃至175℃，还表现出较高的抗EMI能力。由于没有寄生双极效应，发生闩锁的风险完全消除，从而确保最高程度的操作可靠性。

X-FAB为XT011提供了全面的工艺设计套件（PDK）以及广泛的IP元素，如SRAM、ROM和基于SONOS的闪存和嵌入式EEPROM。因此，客户将拥有实现“首次成功（first-time-right）”设计所需的所有手段，并将转化为更短的上市时间。

XT011工艺主要针对需要更高级别数据处理能力的下一代车载应用。此外，它将为现有的工业和医疗产品提供通往更小几何尺寸的路径。

“X-FAB已经作为BCD-on-SOI技术的首选晶圆厂而广为人知；此次成为首家过渡至110纳米的晶圆厂，进一步突出了我们在这一领域无与伦比的专业知识。”X-FAB的首席技术官Joerg Doblaski表示，“通过此新一代车规级工艺，我们将为客户构建生产更复杂且高度集成智能模拟产品所需的坚实基础。”

采用全新XT011 110纳米BCD-on-SOI半导体工艺器件将在X-FAB位于巴黎附近的科尔贝-埃索讷（Corbeil-Essonnes）工厂制造。量产将于2023年下半年启动。

缩略语：

BCD Bipolar-CMOS-DMOS

CMOS 互补金属氧化物半导体

DTI 深槽隔离

EDA 电子设计自动化

SOI 绝缘体上硅

SONOS 硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅