三星推出最先进的DDR5 DRAM:EUV技术、7.2Gbps、功耗降低23%..
(资料图片仅供参考)
三星电子今日宣布,成功开发首款采用12纳米级制程技术的16Gb DDR5 DRAM,并与AMD一起完成兼容性产品评估。
三星表示,技术突破是藉使用新高介电(high-k)材料,以增加单元电容,并进一步改善关键电路特性专利设计技术达成。
三星数据显示,整合先进多层极紫外(EUV)微影曝光技术后,新DRAM拥有三星最高裸片密度(Die density),并可使晶圆生产率提高20%。采用DDR5最新标准,三星12纳米级DRAM可提供高达7.2Gbps传输速度。能效方面,与上一代三星DRAM产品相较,12纳米级DRAM功耗降低约23%。
AMD高级副总裁、企业研究员暨客户、计算和图形技术长Joe Macri指出,创新通常需要与产业伙伴密切合作,以推动技术发展。很高兴再次与三星合作,特别是推出 Zen 平台经优化和验证的 DDR5 内存产品。
三星指出,随着2023年新款DRAM量产,计划将采用先进12纳米技术的DRAM产品扩展到更广市场。
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